個人資料

姓    名：xxx

性    別：男

(可以貼照片)

出生日期：1982年3月1日

學    歷：大專

畢業(yè)院校：蘭州大學

專    業(yè)：半導體器件與微電子

工作經(jīng)驗：三年以上

職    稱：助理工程師

申請職位：薄膜工藝工程師  研發(fā)工程師

聯(lián)系方式：

15900000000  (手機)

www.geren-jianli.org(郵件 & MSN)

 求職意向

求職意向： 薄膜工藝工程師 研發(fā)工程師

求職地點： 無錫 南京 蘇州

工作經(jīng)驗：三年以上

工資要求：3500以上

工作性質(zhì)：全職

 教育培訓

2000.9--2004.7蘭州大學   半導體器件與微電子學   本科

2000年9月至2004年7月 就讀于蘭州大學物理與科學技術(shù)學院微電子學專業(yè)

2006.5--2006.7 培訓單位： 天合半導體公司 培訓內(nèi)容：iso9001認證

200.4—2005--6 培訓單位：核芯電子公司    培訓內(nèi)容：5s現(xiàn)場管理

 工作經(jīng)驗

2004年07月— 2007年03月 ： 天水天光半導體公司(原國營八七一廠)

【單位性質(zhì)】：合資

【所任職位】： 工程部/工藝工程師

【職責描述】：2004年07月－－2007年4月?lián)�任天水天光半導體有限公司（國營八七一廠）工藝工程師兼新產(chǎn)品工藝設計工程師.主要負責varian3180、3120濺射臺，mark50蒸發(fā)臺，varian3125蒸發(fā)臺，ebx2000蒸發(fā)臺等的工藝改進及保障工作和新產(chǎn)品的開發(fā)和工藝、版圖設計，并熟練掌握肖特基生產(chǎn)線薄膜制備工藝。2006年4月-6月改進了varian3180濺射臺濺射工藝，使該企業(yè)肖特基產(chǎn)品成品率提高了9.6個百分點，目前該設備已生產(chǎn)肖特基產(chǎn)品40000多片，并保持穩(wěn)定運行。2006年8月-10月改進了肖特基產(chǎn)品合金工藝，提高了芯片均勻性。

 項目經(jīng)驗

2005.11—2006.3:開發(fā)低速（50-100 ns）和高速（小于10 ns）開關(guān)二極管

項目描述：開發(fā)了低速（50-100 ns）和高速（小于10 ns）開關(guān)二極管，經(jīng)日本專家鑒定，比日本tikoen公司相同產(chǎn)品正向電壓還要低0.3v，目前已為天水天光半導體公司獲利100多萬元。

200.5--2005.10:開發(fā)大電流高電壓肖特基二極管

項目描述：開發(fā)了大電流、高電壓肖特基5a150v、200v，10a150v、200v產(chǎn)品，填補了該企業(yè)在大電流產(chǎn)品方面的空白。

責任描述：負責項目請示，提交項目建議書，項目可行性分析和項目前期調(diào)研，撰寫項目可行性報告和調(diào)研報告；制定項目實施方案，填寫項目申報書并負責項目申報工作。負責與企業(yè)客戶的溝通，了解并分析客戶需求，制定項目合作方案；并根據(jù)項目需求，組建項目團隊和項目技術(shù)主要負責人.并負責與日本專家的技術(shù)交流與溝通．

2005.10—2006.5:開發(fā)了穩(wěn)壓二極管、光敏晶體管、led等產(chǎn)品

項目描述：參與開發(fā)了穩(wěn)壓二極管、光敏晶體管、led等產(chǎn)品，扭轉(zhuǎn)了該企業(yè)產(chǎn)品單一化的局面。

責任描述：負責上述產(chǎn)品的金屬薄膜制備，產(chǎn)品測試及工藝設計．

 技能特長

熟練掌握varian3180、3120濺射臺，mark50蒸發(fā)臺，varian3125蒸發(fā)臺，ebx2000蒸發(fā)臺等的設備運行狀態(tài)和工藝參數(shù)，并熟練掌握肖特基生產(chǎn)線擴散、光刻腐蝕、金屬化等工藝。

熟悉新產(chǎn)品開發(fā)流程及工藝設計。

專業(yè)軟件： l-edit

 自我評價

樂觀向上、興趣廣泛、穩(wěn)重沉著、適應力強、勤奮好學、腳踏實地、認真負責、堅忍不拔、勇于迎接新挑戰(zhàn)、具有較強的團隊合作精神。